В книге рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры, система обозначений и простейшие схемы применения полупроводниковых приборов, электронно-управляемых ламп, электронно-лучевых трубок. Учтено качественное изменение элементной базы радиоэлектроники и бурное развитие оптоэлектроники. Издание предназначено для студентов радиотехнических специальностей вузов. Также может быть полезно для инженерно-технических работников, занимающихся вопросами создания радиоэлектронных устройств.
Название: Электронные приборы Автор: Булычев А. Л., Лямин П. М., Тулинов Е. С. Издательство: ДМК Пресс Год: 2006 Страниц: 399 Формат: PDF Размер: 34,6 МБ ISBN: 5-89818-048-6 Качество: Отличное
Содержание:
Предисловие 1. Основы теории электропроводности полупроводников 1.1. Общие сведения о полупроводниках 1.2. Токи в полупроводниках 1.3. Контактные явления 1.4. Разновидности электрических переходов 2. Полупроводниковые диоды 2.1. Назначение и классификация 2.2. Общие параметры диодов 2.3. Выпрямительные диоды 2.4. Полупроводниковые стабилитроны 2.5. Универсальные диоды 2.6. Импульсные диоды 2.7. Варикапы 2.8. Сверхвысокочастотные диоды 2.9. Туннельные и обращенные диоды 3. Биполярные транзисторы 3.1. Общие сведения о транзисторах 3.2. Устройство биполярных транзисторов 3.3. Включение транзистора с общей базой 3.4. Включение транзистора с общим эмиттером 3.5. Включение транзистора с общим коллектором 3.6. Влияние температуры на статические характеристики транзистора 3.7. Дифференциальные параметры и эквивалентные схемы транзистора 3.8. Работа биполярного транзистора в режиме усиления гармонического сигнала 3.9. Особенности работы транзистора в импульсном режиме 3.10. Конструктивные особенности биполярных транзисторов 4. Полевые транзисторы 4.1. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 4.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором 4.3. Влияние температуры на характеристики полевых транзисторов 4.4. Дифференциальные параметры полевых транзисторов 4.5. Эквивалентные схемы и частотные свойства полевых транзисторов 4.6. Работа полевых транзисторов в режиме нагрузки 4.7. Конструктивные особенности и разновидности полевых транзисторов 5. Переключательные полупроводниковые приборы 5.1. Динисторы 5.2. Тринисторы 5.3. Симметричные тиристоры 5.4. Основные параметры тиристоров 5.5. Однопереходный транзистор 5.6. Лавинный транзистор 6. Электронно-управляемые лампы 6.1. Общие сведения об электронно-управляемых лампах 6.2. Электровакуумные диоды 6.3. Триоды 6.4. Тетроды 6.5. Пентоды 6.6. Параметры многоэлектродных электронно-управляемых ламп 6.7. Работа электронно-управляемых ламп в режиме нагрузки 7. Электронно-лучевые приборы 7.1. Общие сведения об электронно-лучевых приборах 7.2. Электронные прожекторы с электростатической фокусировкой 7.3. Электронные прожекторы с магнитной фокусировкой 7.4. Отклоняющие системы электронно-лучевых трубок 7.5. Люминесцентные экраны электронно-лучевых трубок 7.6. Основные типы электронно-лучевых трубок 8. Газоразрядные приборы 8.1. Общие сведения о газоразрядных приборах 8.2. Газоразрядные приборы с горячим катодом 8.3. Газоразрядные приборы с холодным катодом 9. Оптоэлектронные приборы 9.1. Общие сведения об оптоэлектронике 9.2. Источники света 9.3. Фотоприемники 9.4. Оптроны 10. Шумы электронных приборов 10.1. Общие сведения 10.2. Шумы электронных ламп 10.3. Шумы газоразрядных приборов 10.4. Шумы биполярных транзисторов 10.5. Шумы полевых транзисторов 11. Элементы интегральных микросхем 11.1. Общие сведения о микроэлектронике 11.2. Полупроводниковые ИМС 11.3. Пленочные, гибридные и совмещенные ИМС 11.4. Приборы с зарядовой связью Приложения Литература Предметный указатель
